|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДАТЧИКА ГАЗОВ |  |
Номер публикации патента: 2065602 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/12 | | Аналоги изобретения: | 1. Калотуша С.С. и др. Малогабаритные газоанализаторы. Современное состояние и тенденции развития. Приборы, средства автоматизации и системы управления ТС-4. Аналитические приборы и приборы для научных исследований.- М.: Информприбор, 1989, вып.2, с.12 - 19. 2. Ruinha W.U. Jones T.A. Sensors and Actuators, 1990, v.12, рр. 33 - 42. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в области аналитической техники, при изготовлении полупроводниковых датчиков газов для анализа состава окружающей среды. Сущность изобретения: последовательно наносят на диэлектрическую подложку металлический пленочный нагреватель с системой контактов, разделительный пористый диэлектрический слой и газочувствительный слой. При этом перед нанесением газочувствительного слоя проводят термообработку диэлектрического слоя при температуре не ниже рабочей температуры датчика. Пористый диэлектрик формируют анодной обработкой нанесенного материала. В качестве органического полупроводника используют фталоцианины металлов. Пористый диэлектрик формируют анодной обработкой нанесенного материала. 3 з.п.ф-лы, 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента