|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СЕНСОРНАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2086971 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/12 | | Аналоги изобретения: | 1. Виглеб Г. Датчики. - М.: Мир, 1989, с. 91. 2. N. Yamazoe, "Sensors and Actuators", N 10, 1986, р. 379 - 398. 3. Авторское свидетельство СССР N 18073й0, кл. G 01 N 27/12, 1993. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Ефимов В.М.
Курышев Г.Л.
Воронцов В.В. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: в системах контроля состояния жидких и газообразных сред. Сущность изобретения: сенсорная структура содержит полупроводниковую проводящую подложку, изолирующий слой с расположенным на нем металлическим электродом, газочувствительный слой и контакты к полупроводниковой подложке и электроду. Газочувствительный слой имеет открытую поверхность, расположен на торцевой области изолирующего слоя и контактирует с электродами и подложкой. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента