Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДАТЧИК ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ КОМПОНЕНТОВ В ГАЗОВОЙ СМЕСИ

Номер публикации патента: 2093821

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94014978 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01N027/12    
Аналоги изобретения: 1. US, патент N 4343768, кл. G 01 N 27/06, 1983. 2. US, патент N 4587105, кл. G 01 N 27/12, 1985. 

Имя заявителя: Санкт-Петербургская государственная академия аэрокосмического приборостроения 
Изобретатели: Лопухин В.А.
Гурылев А.С.
Масаев Ю.В.
Бубнов Ю.З. 
Патентообладатели: Санкт-Петербургская государственная академия аэрокосмического приборостроения 

Реферат


Использование: датчик предназначен для определения концентрации компонентов в газовой смеси. Сущность изобретения: датчик содержит подложку, на рабочей стороне которой нанесены последовательно, друг над другом, первый диэлектрический слой, резистивный нагревательный элемент, второй диэлектрический слой, резистивный газочувствительный элемент, а также резистивный температурочувствительный элемент, расположенный в тепловой зоне резистивного нагревательного и газочувствительного элементов и электрически связанный с ними, причем резистивные нагревательный, температурочувствительный и газочувствительный элементы образуют чувствительную часть датчика. Контактные площадки элементов чувствительной части расположены за ее пределами и соединены с ними токопроводящими элементами. В подложке со стороны, противоположной рабочей, выполнено глухое мембранообразующее отверстие под чувствительной частью датчика. Подложка расположена на буферном теплостойком слое, в котором под глухим мембранообразующим отверстием в подложке и равным ему по размеру выполнено сквозное отверстие, а со стороны, прилегающей к подложке, в нем выполнены компенсационные пазы, формирующие выступы, причем размеры и расположение выступов совпадают с проекцией контактных площадок на буферный теплостойкий слой. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"