На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ДАТЧИК ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ КОМПОНЕНТОВ В ГАЗОВОЙ СМЕСИ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2093821 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | G01N027/12 | Аналоги изобретения: | 1. US, патент N 4343768, кл. G 01 N 27/06, 1983. 2. US, патент N 4587105, кл. G 01 N 27/12, 1985. |
Имя заявителя: | Санкт-Петербургская государственная академия аэрокосмического приборостроения | Изобретатели: | Лопухин В.А. Гурылев А.С. Масаев Ю.В. Бубнов Ю.З. | Патентообладатели: | Санкт-Петербургская государственная академия аэрокосмического приборостроения |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Использование: датчик предназначен для определения концентрации компонентов в газовой смеси. Сущность изобретения: датчик содержит подложку, на рабочей стороне которой нанесены последовательно, друг над другом, первый диэлектрический слой, резистивный нагревательный элемент, второй диэлектрический слой, резистивный газочувствительный элемент, а также резистивный температурочувствительный элемент, расположенный в тепловой зоне резистивного нагревательного и газочувствительного элементов и электрически связанный с ними, причем резистивные нагревательный, температурочувствительный и газочувствительный элементы образуют чувствительную часть датчика. Контактные площадки элементов чувствительной части расположены за ее пределами и соединены с ними токопроводящими элементами. В подложке со стороны, противоположной рабочей, выполнено глухое мембранообразующее отверстие под чувствительной частью датчика. Подложка расположена на буферном теплостойком слое, в котором под глухим мембранообразующим отверстием в подложке и равным ему по размеру выполнено сквозное отверстие, а со стороны, прилегающей к подложке, в нем выполнены компенсационные пазы, формирующие выступы, причем размеры и расположение выступов совпадают с проекцией контактных площадок на буферный теплостойкий слой. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
|