|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДЕФЕКТОВ |  |
Номер публикации патента: 2095803 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/82 G01N027/90 | | Аналоги изобретения: | 1. SU, авторское свидетельство, 1161859, кл. G 01 N 27/2, 1984. 2. SU, авторское свидетельство, 974244, кл. G 01 N 27/80, 1982. |
| Имя заявителя: | Уфимский государственный авиационный технический университет | | Изобретатели: | Хайруллин И.Х.
Янгиров И.Ф.
Исмагилов Ф.Р.
Хайруллин Т.И. | | Патентообладатели: | Уфимский государственный авиационный технический университет |
Реферат | |
Использование: в контрольно-измерительной технике. Намагниченная система 2 состоит из секций одинаковых парнополюсных постоянных магнитов, установленных на корпусе 1, измерительный элемент выполнен в виде непрерывной обмотки 3, намотанной на магниты 2 с чередованием, а датчик выполнен с возможностью одновременного поступательного и вращательного перемещения внутри контролируемого изделия. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента