Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИОНОСЕЛЕКТИВНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 2097755

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95106578 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01N027/414    
Аналоги изобретения: 1. J.A.J.Brunink et al. Chemically modified field-effect transistors; a sodium ion selective sensor based on calif[4]arene receptor molicules, J.Anal. Chim. Acta, 1991, v.254, p.75-80. 2. Братов А.В. и др. Ионоселективный полевой транзистор, чувствительный к ионам калия в растворе. Журнал прикладной химии. - 1990, т.63, N 10, с.2203 - 2206. 3. Платэ Н.А., Шибаев В.П. Гребнеобразные полимера и жидкие кристаллы. - М.: Химия, 1980, с.5 и 6. 

Имя заявителя: Институт геохимии и аналитической химии им.В.И.Вернадского РАН 
Изобретатели: Ванифатова Н.Г.
Исакова Н.В.
Колычева Н.В.
Надь В.Ю.
Петрухин О.М.
Спиваков Б.Я.
Мясоедов Б.Ф.
Отмахова О.А.
Тальрозе Р.В.
Платэ Н.А. 
Патентообладатели: Институт геохимии и аналитической химии им.В.И.Вернадского РАН
Институт нефтехимического синтеза им.А.В.Топчиева РА 

Реферат


Использование: полупроводниковые датчики для определения различных химических веществ в растворах потенциометрическими методами анализа в медицине, биологии, сельском хозяйстве, а также в системах контроля окружающей среды. Сущность изобретения: ионоселективный полевой транзистор, включающий монокристаллическую подложку с расположенными на ней затвором, содержащим последовательно нанесенные слои диоксида кремния и пентоксида тантала, и ионочувствительной мембраной, пластифицированной в поливинилхлоридной матрице, дополнительно содержит промежуточный слой полимерного соединения толщиной 1 - 3 мкм, выбранного из класса гребнеобразных полимеров на основе полиалкилметакрилатов или полиалкилакрилатов с длиной алкильной цепочки C10-C22, при этом промежуточный слой расположен между слоем пентоксида тантала затвора и ионоселективной мембраной. 1 ил., 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"