|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК |  |
Номер публикации патента: 2178559 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N027/12 | | Аналоги изобретения: | RU 2096775 С1, 20.11.1997. RU 8481 U1, 16.11.1998. US 5602324 А, 11.02.1997. US 4816800 А, 28.03.1989. ЕР 0834738 А4, 08.04.1998. |
| Имя заявителя: | Омский государственный технический университет | | Изобретатели: | Кировская И.А.
Ложникова Т.В. | | Патентообладатели: | Омский государственный технический университет |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к газовому анализу, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика, технологичности его изготовления, снижение рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в том, что в известном полупроводниковом газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, основание выполнено из поликристаллической пленки сульфида кадмия. Обнаружение и количественное определение оксида углерода осуществляется по изменению электропроводности полупроводниковой пленки при адсорбции оксида углерода. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента