На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК | |
Номер публикации патента: 2241982 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | G01N027/12 | Аналоги изобретения: | RU 2053504 C1, 27.01.1996. SU 1735754 A1, 23.05.1992. US 4574264 A, 04.03.1986. DE 19756894 A, 01.07.1999. |
Имя заявителя: | Омский государственный технический университет (RU) | Изобретатели: | Кировская И.А. (RU) | Патентообладатели: | Омский государственный технический университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области газового анализа, в частности, к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания кислорода. Технический результат изобретения: повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика, расширение его функциональных возможностей. Сущность изобретения состоит в том, что известный газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание, выполненное из монокристаллической пластины фосфида индия, с нанесенными на его поверхность мет
|