RU 2133032 C1, 10.07.1999. SU 1283640 A1, 15.01.1987. RU 40804 U1, 27.09.2004. RU 2144182 C1, 10.01.2000. US 4468619 A, 28.08.1984. US 3899734 A, 12.08.1975.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Спектр" (RU), Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Спецнефтегаз" (RU)
Изобретатели:
Канайкин Виктор Архипович (RU) Гобов Юрий Леонидович (RU) Лоскутов Владимир Евгеньевич (RU) Попов Сергей Эдуардович (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Спектр" (RU) Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Спецнефтегаз" (RU)
Реферат
Изобретение относится к дефектоскопии. Сущность: между ярмом внутритрубного снаряда и стенкой трубопровода создается с помощью двух намагничивающих поясов область со стабильной разностью магнитных потенциалов. При этом поверхность ярма и поверхность стенки трубы над ярмом становятся эквипотенциальными поверхностями. Датчики магнитного поля, расположенные в виде измерительного пояса, регистрируют топографию магнитного поля. Количество измерительных поясов определяется необходимым разрешением вдоль трубы и по ее периметру. На основе измеренных значений магнитного поля судят о параметрах профиля трубы, дефектах внутренней поверхности, размерах немагнитных препятствий. Устройство выполнено в виде внутритрубного снаряда и содержит корпус-ярмо, на торцах которого расположены опорно-двигательные элементы. Намагничивающая система выполнена в виде двух намагничивающих поясов из закрепленных на корпусе постоянных радиально намагниченных магнитов, на полюсах которых установлены магнитные щетки из магнитомягкого материала. Измерительная система установлена между намагничивающими поясами и может содержать два и более измерительных пояса в одном сечении, образующих измерительную секцию. По крайней мере, один из измерительных поясов жестко закреплен на заданном расстоянии от корпуса-ярма. Технический результат: повышение точности. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента