LORENZ Н et all. "NEW SUSPENDED GATE FET TECHNOLOGY FOR PHYSICAL DEPOSITION OF CHEMICALLY SENSITIVE LAYERS'' SENSORS AND ACTUATORS A, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. A23, no.1/3, April 1990, p. 1023-1026. H. MAHFOZ-KOTB ЕТ AL.: "High performance poly silicon air-gap thin film transistor on low temperature substrates", PROCEEDINGS OF SPIE,SMART SENSORS, ACTUATORS, AND MEMS, no. 5116, April 2003, p. 168-175. DE 19849932 A1, 11.05.2000. US 4020830 A, 03.05.1977. FLEISCHER M et all. "Low-power gas sensors based on work-function measurement in low-cost hybrid flip-chip technology" SENSORS AND ACTUATORS B, ELSEVIER SEQUOIA S.A, LAUSANNE, CH, vol.80, no.3, 1 December 2001 (2001-12-01), p. 169-173. EP 1104884 A, 06.06.2001. US 4514263 A, 30.04.1985. RU 2188411 C1, 27.08.2002.
Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: датчик для обнаружения и/или измерения концентрации электрических зарядов, содержащихся в среде, содержит структуру полевого транзистора, включающую мостик, формирующий затвор и проходящий над активным слоем, размещенным между областями стока и истока. На мостик подается напряжение затвора, имеющее заданное значение. Между мостиком и активным слоем или изолирующим слоем, осажденным на активном слое, размещается зона так называемого воздушного зазора, имеющего заданную высоту. В воздушном зазоре создается электрическое поле Е, напряженность которого определяется как отношение напряжения на затворе к высоте воздушного зазора. Напряженность электрического поля, созданного в воздушном зазоре, имеет величину, равную заданному пороговому значению 50000 В/см и более, которое достаточно для того, чтобы электрическое поле Е воздействовало на распределение электрических зарядов, имеющихся в среде и присутствующих в воздушном зазоре, и обеспечивало высокую чувствительность датчика, достигаемую в результате накопления электрических зарядов на активном слое, при этом поверхность мостика покрыта изолирующим материалом. Техническим результатом изобретения является создание датчика, используемого в газовой или в жидкой среде и имеющего более высокую чувствительность. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента