RU 2281485 C1, 10.08.2006. RU 2274853 C1, 20.04.2006. RU 2178559 C2, 20.01.2002. SU 1790757 A3, 23.01.1993. JP 55066743 A, 20.05.1980. JP 58139056 A, 18.08.1983.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:
Кировская Ираида Алексеевна (RU) Филатова Татьяна Николаевна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота и других газов. Изобретение может быть использовано в экологии. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки антимонида индия, легированного сульфидом кадмия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает при существенном упрощении технологии изготовления датчика определять содержание диоксида азота с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента