

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР

Номер публикации патента: 2464553

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2011118676/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	G01N027/12
Аналоги изобретения:	RU 2400737 C2, 27.09.2010. RU 2281485 C1, 10.08.2006. RU 2178558 C1, 20.01.2002. RU 2274854 C1, 20.04.2006. RU 2326371 C1, 10.06.2008.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:	Кировская Ираида Алексеевна (RU) Буданова Елена Михайловна (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)

Реферат

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Полупроводниковый газовый датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое основание, выполненное из поликристаллической пленки селенида цинка, легированного селенидом кадмия, при этом подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичность его изготовления. 3 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"