Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ФАЗ РАЗВИТИЯ ВОЛНОВЫХ И ТОКОВЫХ СТРУКТУР СКОЛЬЗЯЩЕГО РАЗРЯДА

Номер публикации патента: 2029967

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4922043 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01R029/14    
Аналоги изобретения: 1. Борисов В.М., Высикайло Ф.И. и др. Скользящий импульсно-периодический разряд. Квантовая электроника, 1983. т.10, N 10, с.2110-2112. 

Имя заявителя: Самарский государственный аэрокосмический университет 
Изобретатели: Журавлев О.А.
Кислецов А.В.
Муркин А.Л. 
Патентообладатели: Самарский государственный аэрокосмический университет 

Реферат


Изобретение относится к физическим средствам исследования газовых разрядов. Цель изобретения - повышение информативности за счет формирования высоковольтного импульса напряжения апериодической формы. Устройство содержит высоковольтный 1 и заземленный 2 электроды, расположенные на поверхности диэлектрической подложки 3, и оптическую систему 7 фоторегистрации, установленную над рабочей поверхностью подложки. При этом высоковольтный электрод через коммутатор 5 соединен с источником напряжения и с первым выводом емкостного накопителя 4 энергии, второй вывод которого подключен к заземленному электроду 2. Между высоковольтным и заземленным электродами подключен согласующий резистор 6, величина сопротивления R которого для незавершенной стадии разряда определяется соотношением , где L - индуктивность разрядного контура; C - емкость накопителя энергии; Cд - распределенная емкость диэлектрической подложки 3 с регистрирующим слоем, а для завершенной стадии разряда величина сопротивления R определяется соотношением - омическое сопротивление плазменных каналов. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"