|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ |  |
Номер публикации патента: 2138058 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R031/26 G01R031/305 | | Аналоги изобретения: | RU 2005308 C1, 30.12.93. Чернышев А.А. и др. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем. Ж. "Зарубежная электронная техника". Сер.2, 1980, вып.7 (142), с.124-126. SU 1821842 A1, 15.06.93. RU 2032963 C1, 10.04.95. RU 2066869 C1, 20.09.96. RU 2073254 C1, 10.02.97. US 3723873 A, 27.03.73. US 3748579 A, 24.07.73. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Радио и связь, 1988, с.186-190. |
| Имя заявителя: | Государственный научный центр РФ Государственное предприятие Научно- производственное объединение "ОРИОН" | | Изобретатели: | Вовк О.В.
Пономаренко В.П. | | Патентообладатели: | Государственный научный центр РФ Государственное предприятие Научно-производственное объединение "ОРИОН" |
Реферат | |
Способ относится к методам испытаний полупроводниковых приборов на надежность и может использоваться для ускоренных испытаний полупроводниковых фотоприемников для прогнозирования их надежности в процессе длительной эксплуатации. Основой способа является облучение фотоприемников перед температурным воздействием гамма-нейтронным импульсом с интегральным потоком, лежащим в пределах 5·109 - 5·1012 Н/см2 при средней энергии нейтронов 1,5 МэВ. Технический результат: значительное сокращение продолжительности испытаний и снижение их стоимости. Повышение достоверности результатов испытаний.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента