|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПО РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ И НАДЕЖНОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2311654 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01R031/303 | | Аналоги изобретения: | RU 2254587 C1, 20.06.2005. RU 2005308 C1, 30.12.1993. RU 2168735 C1, 10.06.2001. RU 2073254 C1, 10.02.1997. SU 1408393 A1, 07.07.1988. US 3723873 A, 27.03.1973. ПОПОВА В.Д. ВОРОНКОВА Г.М., КУЗЬМИНОВА А.В. Исследование крупных дефектов в МОП-структурах после облучения и низкотемпературного отжига. Сборник «Шумовые и деградационные процессы в |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (RU),Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ космического приборостроения (RU) | | Изобретатели: | Анашин Василий Сергеевич (RU)
Попов Виктор Дмитриевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (RU)
Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ космического приборостроения (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области испытания объектов электронной техники, в частности предназначено для отбраковки образцов интегральных микросхем с аномально низкой радиационной стойкостью и надежностью. Технический результат, на достижение которого направлено изобретение, заключается в повышении точности определения радиационной стойкости интегральных микросхем в случае неполного восстановления параметров при низкотемпературной термообработке после облучения малой дозой ионизирующего излучения и
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента