Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО ИМПЕДАНСА КМОП ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Номер публикации патента: 2463618

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011114024/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01R031/28    
Аналоги изобретения: RU 2178893 С1, 27.01.2002. RU 2392631 С1, 20.06.2010. US 0004701701 А1, 20.10.1987. US 5927853 А, 27.07.1999. Юдин В.В. Диссертация на соискание ученой степени кандидата тех. наук // Автореферат. - Ульяновск: 2009, с.23. 

Имя заявителя: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" (RU) 
Изобретатели: Сергеев Вячеслав Андреевич (RU)
Ламзин Владимир Александрович (RU)
Юдин Виктор Васильевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" (RU) 

Реферат


Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества КМОП цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Техническим результатом является повышение чувствительности и точности измерения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем. При этом на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих импульсов, модулированных по периодическому закону, с частотой и скважностью 2. На частоте модуляции выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра того логического элемента, состояние которого не изменяется, и сдвиг фазы () между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра, измеряют модуль теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте по формуле:
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"