|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПЛОТНОСТИ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА ОБРАЗЦОВ ВТСП - КЕРАМИКИ |  |
Номер публикации патента: 2102771 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R033/035 G01N029/00 | | Аналоги изобретения: | 1. Bean C.P. Phys. Rev. Let. 1962, v. 8, p. 250. 2. Никонов А.А., Петухов М.Н., Сотников Т.В., Терекиди А.Г. Бесконтактные методы измерения электромагнитных свойств сверхпроводников II рода и ВТСП. Высокотемпературная сверхпроводимость. - М.: ВНИИМИ, 1989, вып. 1, с. 73 - 92. 3. Лурье А.И., Мильман Л.И., Александров В.В. Трансформаторное устройство для измерения критического тока в образцах ВТСП-материала. Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1990, т. 3, N 2, с. 308 - 312. 4. Жуков А.А., Мощалков В.В. Критическая плотность тока в высокотемпературных сверхпроводниках. Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1991, т. 4, N 5, с. 850 - 887. |
| Имя заявителя: | Институт монокристаллов АН Украины (UA) | | Изобретатели: | Маликов Виталий Яковлевич[UA]
Стадник Петр Емельянович[UA]
Тиман Вениамин Липович[UA]
Квичко Лиля Абрамовна[UA]
Коток Людмила Анатольевна[UA]
Салийчук Елена Константиновна[UA] | | Патентообладатели: | Институт монокристаллов АН Украины (UA) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области измерения физических свойств ВТСП-материалов. Сущность: в способе измерения плотности критического тока образцов ВТСП-керамики четырехзондовым методом, основанном на измерении величины транспортного тока, протекающего через образец в момент перехода ВТСП-керамики из сверхпроводящего в резестивное состояние, образец ВТСП-керамики помещают в переменное магнитное поле звуковой частоты, измеряют величину критического транспортного тока, определяют зависимость критического тока от величины магнитного поля и по этой зависимости судят о плотности критического тока при нулевом магнитном поле. Отпадает необходимость проведения измерений при полях менее 100Э, где увеличение тока через образец может привести к контактному перегреву и снижению точности измерений. I ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента