RU 95137 U1, 10.06.2010. RU 2244318 С1, 10.01.2005. RU 2131131 C1, 27.05.1999. US 6291993 В1, 18.09.2001. US 2007026558 A1, 22.05.2007. Пукинский Ю.Ж., Ислам Рашид, Килиба Ю.В. Низкочастотный датчик магнитного поля на основе композиционного материала ЦТС-ТЕРФЕНОЛ, 2008.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета") (RU)
Изобретатели:
Ионов Александр Сергеевич (RU) Бичурин Мирза Имамович (RU) Пукинский Юрий Жанович (RU) Иванов Сергей Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета") (RU)
Реферат
Датчик относится к измерительной технике и может быть применен для преобразования переменного магнитного поля в электрическое напряжение в составе измерительной аппаратуры и в различных системах автоматического управления, а также в качестве питающего элемента. Техническим результатом изобретения является создание датчика переменного магнитного поля, который не требует для своей работы дополнительного питания, повышение чувствительности и расширение диапазона измеряемых переменных магнитных полей. Технический результат достигается за счет того, что пассивный датчик переменного магнитного поля содержит подложку и, по меньшей мере, один магниточувствительный элемент из многослойного или объемного магнитоэлектрического композиционного материала, содержащего магнитострикционную и пьезоэлектрическую фазы, на который нанесены токопроводящие обкладки. Датчик содержит также постоянный магнит, вектор магнитного поля которого сонаправлен с вектором поляризации пьезоэлектрической фазы магниточувствительного элемента. Кроме того, повышение чувствительности и расширение диапазона измеряемых величин магнитного поля осуществляются за счет достижения максимального МЭ эффекта в чувствительном элементе пассивного датчика переменного магнитного поля. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента