Измерение электрических и неэлектрических величин. Евтихеев Н.Н., Купершмидт Я.А. и др. / Под общ. ред. Н.Н.Евтихеева - М.: Энергоатомиздат 1989 г. (с.120-123). RU 2134424 С1, 10.08.1999. SU 1087786 A1, 23.04.1984. RU 2262713 C2, 20.10.2005. US 4988943 A1, 29.01.1991.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) (RU)
Изобретатели:
Быков Владимир Иванович (RU) Петроченко Юрий Николаевич (RU) Стерлин Андрей Яковлевич (RU) Синдинский Валерий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения неэлектрических величин при помощи тензометрических мостовых датчиков с инструментальными усилителями, запитанных постоянным током. В способе периодически по сигналам командного блока определяют аддитивные и мультипликативные составляющие погрешности, для чего вершины высокого и низкого потенциала диагонали питания тензометрического мостового датчика отключают от источника двуполярного питания и с выхода инструментального усилителя величины аддитивной и мультипликативной погрешностей записывают в запоминающие устройства. Затем производят штатные рабочие измерения при включенном питании моста и из величины сигнала, измеренного в штатном режиме, операциями вычитания и деления устраняют ранее запомненные величины аддитивной и мультипликативной составляющих погрешности. Переключение с режима определения величин аддитивной и мультипликативной погрешностей на штатный режим измерения производят блоком управления через заданный интервал изменения температуры элементов измерительного канала, например, датчика или заданный промежуток времени. Технический результат - исключение систематических аддитивных и мультипликативных составляющих погрешностей, входящих в рабочий измерительный сигнал. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента