SU 126559 A1, 01.01.1960. SU 667083 A1, 05.06.1979. SU 1709830 A1, 28.02.1994. US 5611396 A, 18.03.1997.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") (RU)
Изобретатели:
Морозов Олег Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к контролю параметров сцинтилляционного детектора, и может быть использовано для контроля оптического контакта между сцинтиллятором и фотоэлектронным умножителем в низкофоновых приборах обнаружения ионизирующего излучения, типа радиационных мониторов. Технический результат - контроль качества оптического контакта между сцинтиллятором и ФП в различных условиях эксплуатации в течение всего срока службы (при старении и наработке сцинтиллятора и ФЭУ). Способ определения параметров сцинтилляционного детектора основан на контроле амплитуд двух задержанных выходных импульсов фотоприемника от двух соответствующих источников света, первый из которых освещает фотокатод фотоприемника, вторым источником света возбуждают люминесценцию сцинтиллятора, который устанавливают через иммерсионный слой на подложку фотокатода фотоприемника, при этом выбирают спектр излучения второго источника света ниже нижней границы спектра люминесценции сцинтиллятора, при этом спектр излучения первого источника света выбирают соответствующим эффективной длине люминесценции сцинтиллятора, световыход первого источника света термостабилизируют с учетом температурного изменения люминесценции сцинтиллятора, при этом световыход второго источника света термостабилизируют, компенсируя только его собственную температурную зависимость световыхода, а пару импульсов с фотоприемника при наличии иммерсионного слоя контролируют относительно пары импульсов с фотоприемника в отсутствие иммерсионного слоя. Источники света выполнены импульсными полупроводниковыми. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента