УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОГЛОЩЕННОЙ ДОЗЫ БЕТА - ИЗЛУЧЕНИЯ В ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНТНОМ ДЕТЕКТОРЕ НА ОСНОВЕ АНИОНО - ДЕФЕКТНОГО МОНОКРИСТАЛЛА ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
МИЛЬМАН И.И., НИКИФОРОВ С.В., КОРТОВ В.С., КИЛЬМЕТОВ А.К. «КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ДЕТЕКТОРОВ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ РАДИАЦИОННОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ, ДЕФЕКТОСКОПИЯ», 1996, 112, с.64-70, рис.1. RU 2270462 C1, 20.02.2006. US 6586752 B1, 01.07.2003. US 4224519 A, 23.09.1980.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Изобретатели:
Вохминцев Александр Сергеевич (RU) Вайнштейн Илья Александрович (RU) Кортов Всеволод Семенович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в персональной дозиметрии, при мониторинге радиационной обстановки, при археологическом и геологическом датировании, в аварийной дозиметрии. Устройство включает блок нагрева указанного детектора, а также блок регистрации термолюминесцентного свечения этого детектора. Выход блока регистрации термолюминесцентного свечения соединен со входом блока оценки поглощенной дозы по параметрам полученной кривой термовысвечивания. Сущность изобретения заключается в том, что указанный блок выделения длин волн выполнен с характеристиками, обеспечивающими функцию выделения длин волн только в пределах диапазона от 500 до 570 нм. Дополнительно устройство отличается тем, что блок выделения длин волн регистрируемого термолюминесцентного свечения выполнен с характеристиками, обеспечивающими функцию выделения длин волн в любом поддиапазоне указанного диапазона длин волн, имеющем ширину не более 30 нм, в частности, в поддиапазоне от 520 нм до 550 нм. Обеспечивается увеличение верхней границы линейного диапазона дозовой зависимости и повышение точности оценки поглощенной дозы -излучения. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента