SU 934402 A1, 07.06.1982. SU 1783930 A1, 30.05.1994. RU 2006881 C1, 30.01.1994. US 3516939 A, 23.06.1970. JP 63131094 A, 03.06.1988.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет (RU)
Изобретатели:
Варлачев Валерий Александрович (RU) Солодовников Евгений Семенович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей. Технический результат - способ позволяет использовать в качестве детектора тепловых нейтронов простейший полупроводник без p-n переходов - монокристаллический кремний как n-, так и p-типов; широкий диапазон измеряемого флюенса тепловых нейтронов от 1015 до 1018 см-2; одна исходная для данного спектра нейтронов калибровка детектора с любым исходным сопротивлением, при этом калибровка не меняется при использовании детекторов с любым другим исходным сопротивлением. Способ включает калибровку детектора, измерение исходного удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, отжиг радиационных дефектов в кремнии, генерированных быстрыми нейтронами, измерение конечного удельного электрического сопротивления и определение флюенса нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии за счет образования в нем донорной примеси фосфора по формуле: где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления, его определяют при калибровке детекторов, 0 - исходное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют перед облучением детектора, - конечное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют после облучения детектора флюенсом F тепловых нейтронов и отжига радиационных дефектов. При этом отжиг радиационных дефектов проводят при температуре не менее 800°С в течение не менее двух часов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента