СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПЛАСТА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРИБОРА ПЛОТНОСТНОГО КАРОТАЖА ЛИТОЛОГИЧЕСКОГО РАЗРЕЗА НА ОСНОВЕ ИМПУЛЬСНОГО УСКОРИТЕЛЯ
US 3321625 A, 23.05.1967. US 3654470 А, 04.04.1972. WO 2006116299 А2, 02.11.2006. US 2005067563 А1, 31.03.2005. SU 525038 A1, 15.08.1976. SU 659108 A1, 25.04.1979.
Имя заявителя:
ШЛЮМБЕРГЕР ТЕКНОЛОДЖИ Б.В. (NL)
Изобретатели:
ЧЖОУ Тун (US) ЧЕН Феликс (US) КЭЙС Чарльз Р. (US) ЭЛЛИС Дарвин В. (US) РОСКО Брэдли Алберт (US)
Патентообладатели:
ШЛЮМБЕРГЕР ТЕКНОЛОДЖИ Б.В. (NL)
Приоритетные данные:
21.12.2007 US 11/962,161
Реферат
Использование: для импульсного плотностного гамма-гамма каротажа. Сущность: заключается в том, что для компенсации фотоэлектрического эффекта в приборах импульсного плотностного гамма-гамма каротажа выполняют этапы, на которых: создают источник частиц высоких энергий и направляют эти частицы высоких энергий в пласт, имеющий известные коэффициент фотоэлектрического поглощения и плотность электронов; захватывают один или несколько фотонов, испущенных из или отклоненных от пласта, одним из первого детектора и второго детектора, при этом первый детектор располагают на первом расстоянии от источника, второй детектор располагают на втором расстоянии от детектора, и третье расстояние отделяет первый детектор от второго детектора; измеряют первую полную энергию указанного одного или нескольких фотонов, попадающих на первый детектор в течение временного интервала, и измеряют вторую полную энергию одного или нескольких фотонов, попадающих на второй детектор в течение того же самого временного интервала; и размещают первый фильтр между первым детектором и пластом так, чтобы чувствительность к фотоэлектрическому поглощению согласовывалась с отклонением прибора, тем самым компенсируя оба эффекта одновременно. Технический результат: обеспечение возможности одновременной компенсации взаимодействий, обусловленных фотоэлектрическим эффектом и вариациями плотности, вызванными отклонением прибора. 3 н. и 43 з.п. ф-лы, 16 ил., 5 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента