Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО - ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА

Номер публикации патента: 2371746

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008119933/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G02F001/355    
Аналоги изобретения: DE 4029852 A, 26.03.1992. US 5193023 A, 09.03.1993. US 2003116424 A1, 26.06.2003. SU 1185291 A, 15.10.1985. RU 2044337 C1, 20.09.1995. 

Имя заявителя: ГОУ ВПО Уральский Государственный Университет им. А.М. Горького (RU),
Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU) 
Изобретатели: Шур Владимир Яковлевич (RU)
Батурин Иван Сергеевич (RU)
Негашев Станислав Александрович (RU)
Кузнецов Дмитрий Константинович (RU) 
Патентообладатели: ГОУ ВПО Уральский Государственный Университет им. А.М. Горького (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к нелинейной оптике и оптоэлектронике и может быть использовано в оптических системах записи и считывания информации, в волоконно-оптической связи и в лазерных проекционных системах. Способ включает воздействие высокого напряжения, которое прикладывают между металлическими электродами, расположенными на противоположных полярных гранях пластины. Один из электродов выполнен в виде структуры, состоящей из полос определенной конфигурации (полосовой электрод). На поверхность пластины с полосовым электродом воздействуют, по меньшей мере, одиночным импульсом лазерного излучения. Высокое напряжение прикладывают между электродами одновременно или после воздействия импульса лазерного излучения. При этом выбирают такие параметры импульса лазерного излучения, которые не приводят к испарению полосового электрода. На поверхность пластины с полосовым электродом можно многократно воздействовать импульсами лазерного излучения. Величина высокого напряжения, прикладываемого между электродами одновременно с воздействием импульса лазерного излучения, не превышает коэрцитивное значение. Изобретение позволяет формировать сквозные доменные структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика в точном соответствии с рисунком полосового электрода. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"