Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО - ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА

Номер публикации патента: 2411561

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009135926/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G02F001/35    
Аналоги изобретения: US 5193023 А, 09.03.1993. RU 2044337 C1, 20.09.1995. KR 100261230 B1, 01.07.2000. JP 2008003566 A, 10.01.2008. JP 2006234939 A, 07.09.2006. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU) 
Изобретатели: Шур Владимир Яковлевич (RU)
Батурин Иван Сергеевич (RU)
Негашев Станислав Александрович (RU)
Кузнецов Дмитрий Константинович (RU)
Лобов Алексей Иванович (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к нелинейной оптике и оптоэлектронике и может быть использовано в оптических системах записи и считывания информации, в волоконно-оптической связи и в лазерных проекционных системах. Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика включает воздействие высокого напряжения, которое прикладывают между металлическими электродами, расположенными на противоположных полярных гранях пластины. Один из электродов выполнен в виде структуры, состоящей из полос определенной конфигурации (полосовой электрод). Через полосовой электрод пропускают, по меньшей мере, один импульс электрического тока. Высокое напряжение прикладывают между электродами одновременно или после воздействия импульса электрического тока. При этом выбирают такие параметры импульса электрического тока, которые не приводят к разрушению полосового электрода. На поверхность пластины с полосовым электродом можно многократно воздействовать импульсами электрического тока. Технический результат: формирование сквозных доменных структур в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика в точном соответствии с рисунком полосового электрода. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"