|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ СЛОЯ ФОТОРЕЗИСТА |  |
Номер публикации патента: 2318231 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G03F007/26 | | Аналоги изобретения: | Пономарева Л.Г. Микроэлектроника. - М.: Наука, 2002, с.395. SU 1820787 А1, 10.04.2004. RU 1653484 С, 20.08.1995. SU 702243 А, 10.12.1975. TW 403967 В, 01.09.2000. JP 2201925 А, 10.08.1990. |
| Имя заявителя: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) | | Изобретатели: | Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU)
Шахмаева Айшат Расуловна (RU) | | Патентообладатели: | ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления. Сущность изобретения: в способе травления слоя фоторезиста, включающем плазмохимическое травление слоя фоторезиста с кремниевых пластин обработкой газовой смесью элегаза и кислорода, травление проводят при расходе элегаза (SF6) и кислорода (O2) соответственно 7 и 0,8 л/ч, при рабочем давлении, равном 20&
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента