SU 1825426 A1, 30.06.1993. US 2006263722 A1, 23.11.2006. US 5296330 A, 22.03.1994. RU 2199773 C2, 27.02.2003. SU 1825425 A3, 30.06.1993. SU 1217128 A1, 07.05.1993. SU 1364051 A1, 20.07.1996.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Институт прикладной нанотехнологии" (RU)
Изобретатели:
Афанасьев Михаил Мефодъевич (RU) Эрлих Роальд Давидович (RU) Беклемышев Вячеслав Иванович (RU) Махонин Игорь Иванович (RU) Филиппов Константин Витальевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Институт прикладной нанотехнологии" (RU)
Реферат
Изобретение относится к фотолитографическим процессам по формированию на функциональной поверхности подложки с помощью фоторезистов рельефного покрытия заданной конфигурации для получения изображения рисунков при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике. Предлагается способ получения позитивного фоторезиста взаимодействием пленкообразующего в виде фенолоформальдегидных смол и светочувствительного компонента - продукта взаимодействия 1,2-нафтохинондиазид-(2)-4-сульфохлорида с 3-(2-этилгексилокси)пропиламином. Процесс ведут в смеси органических растворителей на основе сложных эфиров карбоновых кислот и ксилола в присутствии неионогенного поверхностно-активного вещества - фторалифатического эфира плотностью 1,1-1,17 г/см3 и альфа-метилстирола и/или п-аминофенола при массовом соотношении их в смеси 1:1. Полученный позитивный фоторезист обладает повышенной светочувствительностью и разрешающей способностью для экспонирующего излучения max=365 нм. 4 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента