US 6517977 В2, 11.02.2003. RU 2365960 С2, 27.08.2009. WO 2006/026993 А1, 16.03.2006. WO 2010/015333 А2, 11.02.2010. US 6387787 В1, 14.05.2002. US 7662299 В2, 16.02.2010. US 7137803 В2, 21.11.2006. US 2008/286449 А1, 20.11.2008.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Изобретатели:
Бокарев Валерий Павлович (RU) Горнев Евгений Сергеевич (RU) Красников Геннадий Яковлевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, к способам изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами для использования при изготовлении полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: для уменьшения неровности края воспроизводимого субмикронного либо наноразмерного рисунка на штампе и уменьшения стоимости изготовления штампа для наноимпринт литографии, штампы изготавливают на специальных круглых пластинах, имеющих линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с аналогичными изготавливаемому штампу топологическими размерами. При этом перенос необходимой топологии на такие пластины осуществляют с использованием изготовленного, с применением прецизионного электронно-лучевого либо ионно-лучевого генератора изображений, шаблона для проекционной литографии с увеличенными в N раз размерами элементов рисунка, по сравнению с рисунком на штампе, и установки для проекционной литографии, уменьшающей в N раз размеры переносимого рисунка и предназначенной для переноса топологии данного уровня на кремниевые пластины. 10 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента