Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОЛОГРАММ НА КРЕМНИИ

Номер публикации патента: 2120653

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 97114156 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G03H001/04    
Аналоги изобретения: SU 490368 A, 1976. Белокриницкий Н.С. и др. Запись оптической информации на аморфных пленках полупроводниковых соединений. - Письма в ЖЭГФ, 1972, т. 5, в. 4, с. 198 - 220. Кольер Р. и др. Оптическая голография. - М.: Мир, 1973, с. 256 - 258. US 4734345 A, 1988. WO 8603852 A1, 1986. 

Имя заявителя: Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН 
Изобретатели: Фаттахов Я.В.
Галяутдинов М.Ф.
Львова Т.Н.
Хайбуллин И.Б. 
Патентообладатели: Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН 

Реферат


Изобретение относится к способам голографической записи и восстановлению волновых фронтов света и может быть применено для записи и хранения информации на полупроводниковых материалах (преимущественно на кремнии), особенно в случаях необходимости восстановления волновых фронтов света, несущих записанную информацию, в видимой и инфракрасной области (ИК) спектра. Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является получение следующего технического результата: увеличение дифракционной эффективности голограмм на кремнии при восстановлении в видимой и ИК области спектра. Сущность изобретения заключается в следующем. Методом ионной имплантации в образце кремния создается приповерхностный аморфизованный слой, на котором записывается интерференционная картина от объектного и опорного пучков когерентного излучения наносекундного диапазона длительностей с длиной волны в полосе поглощения аморфного полупроводника. После записи интерференционной картины образец дополнительно облучают импульсом некогерентного света. 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"