|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА В АВТОМАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ |  |
Номер публикации патента: 2023063 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 G05D027/00 | | Аналоги изобретения: | Заявка ЕПВ N 0115121, кл. C 30B 15/25, 1986. |
| Имя заявителя: | Институт физики твердого тела РАН | | Изобретатели: | Курлов В.Н.
Петьков И.С.
Редькин Б.С.
Россоленко С.Н. | | Патентообладатели: | Институт физики твердого тела РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием методом Чохрального в автоматическом режиме. Сущность: при реализации способа в расплав вводят пластину параллельно поверхности расплава и осуществляют дополнительную компенсацию локальным изменением температуры под фронтом кристаллизации Tп канал. Температуру под фронтом кристаллизации изменяют путем изменения силы тока, пропускаемого через пластину и/или положения пластины относительно поверхности расплава. Для случая изменения температуры путем изменения силы тока пластина изготовлена из токопроводящего материала и к ней прикреплены контакты для соединения с выходом источника тока. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента