RU 2368938 C1, 27.09.2009. RU 86755 U1, 10.09.2009. SU 1267619 A1, 30.10.1986. US 7414371 B1, 19.08.2008.
Имя заявителя:
Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ (RU)
Изобретатели:
Мацыкин Сергей Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат заключается в создании преобразователя однополярного напряжения в двуполярное, который имеет высокой кпд, не зависящий от тока нагрузки, в том числе и в микромощном режиме потребления. Он достигается тем, что предложен микромощный преобразователь однополярного напряжения в двуполярное, включающий делитель входного напряжения из последовательно включенных первого и второго резисторов, операционный усилитель, инвертирующий вход которого соединен со средней точкой делителя, а также с выходом операционного усилителя через третий резистор, а выход операционного усилителя подключен через индуктивность к выходу преобразователя, причем выход преобразователя подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя, а выход преобразователя подключен к полюсам источника входного напряжения через первый и второй фильтрующие конденсаторы, при этом в него дополнительно введен логический элемент-инвертор КМОП, при этом выход операционного усилителя подключен к входу инвертора, а выход инвертора подключен к точке соединения третьего резистора и индуктивности, при этом инвертирующий вход операционного усилителя соединен со средней точкой делителя и выходом инвертора через третий резистор, а неинвертирующий вход операционного усилителя подключен к выходу преобразователя. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента