RU 2003103143 А, 10.11.2004. US 2005074937 A1, 07.04.2005. JP 11260938 A, 24.09.1999. RU 2287865 C1, 20.11.2006.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU), Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Насыров Камиль Ахметович (RU) Гриценко Владимир Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, в различных портативных электронных устройствах, а также в различных электронных платежных средствах и документах. Техническим результатом является повышение надежности флэш-элемента памяти ЭППЗУ в режиме хранения информации. Флэш-элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, при этом между запоминающим слоем и блокирующим слоем выполнен дополнительный блокирующий слой из оксида кремния, обладающего значением диэлектрической проницаемости, значительно меньшим, чем диэлектрическая проницаемость материала блокирующего слоя. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента