US 2001-038594 A1, 08.11.2001. JP 2003-099935 A, 04.04.2003. RU 2190882 C2, 10.10.2002.
Имя заявителя:
САМСУНГ ЭЛЕКСТРОНИКС КО., ЛТД. (KR)
Изобретатели:
ЛИ Киунг-Геун (KR) КО Дзунг-Ван (KR)
Патентообладатели:
САМСУНГ ЭЛЕКСТРОНИКС КО., ЛТД. (KR)
Приоритетные данные:
12.06.2003 US 60/477,793 30.06.2003 US 60/483,233 08.09.2003 KR 10-2003-0062855
Реферат
Носитель информации содержит первый слой хранения информации, содержащий первую область регулирования оптимальной мощности, и второй слой хранения информации, соседствующий с первым слоем хранения информации и содержащий вторую область регулирования оптимальной мощности. Первая и вторая области регулирования оптимальной мощности не перекрываются, и буферные области расположены на одной стороне первой области регулирования оптимальной мощности и на одной стороне второй области регулирования оптимальной мощности. Технический результат - недопущение ухудшения свойств записи носителя информации вследствие влияния ОРС-области в слое хранения информации на ОРС-область в соседнем слое хранения информации. 3 н.п. ф-лы, 18 ил., 1 табл.