RU 60255 U1, 10.01.2007. US 6801456 B1, 05.10.2004. JP 2004179626 A, 24.06.2004. KR 20020002078 A, 09.01.2002.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство обороны Российской Федерации (RU), Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И.Берга" (RU)
Изобретатели:
Кузьминых Александр Сергеевич (RU) Фесенко Максим Владимирович (RU) Хлопов Борис Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство обороны Российской Федерации (RU) Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И.Берга" (RU)
Реферат
Предложен способ стирания записанной информации на неоднородном полупроводниковом носителе информации с энергонезависимой памятью основан на стирании записи методом квантово-механического туннелирования электронов, путем снятия заряда с «плавающего» затвора, помещенного в ячейку памяти микросхемы методом инжекции «горячих» электронов. Устройство для осуществления способа стирания информации содержит полеобразующую систему, создающую импульсы магнитного поля. Импульсы магнитного поля воздействуют на заряды плавающего затвора, вызывая их возбуждение, что позволяет использовать импульсы стирающего напряжения меньших энергий. Техническим результатом изобретения является увеличение надежности стирания информации при уменьшении времени стирания и энергетических затрат. 2 н.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента