US 6501302 B1, 31.12.2002. US 2004130353 A1, 08.07.2004. RU 2119243 С1, 20.09.1998. SU 1688284 A1, 30.10.1991.
Имя заявителя:
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." (KR)
Изобретатели:
Дунаева Мария Андреевна (RU)
Патентообладатели:
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." (KR)
Реферат
Изобретение относится к устройствам для записи или считывания информации в цифровых запоминающих устройствах, а именно к усилителям считывания с одним входом и двумя выходами. Техническим результатом является повышение синхронности выходных сигналов и увеличение быстродействия за счет отсутствия генерации дополнительных дифференциальных сигналов. Устройство содержит защелку, состоящую из пары nMOSFET, в которой первый и второй nMOSFET перекрещены один с другим, и пары pMOSFET, в которой первый и второй pMOSFET перекрещены один с другим; первый ключ pMOSFET, соединенный с защелкой и состоящий из стока, истока, затвора; второй ключ pMOSFET, соединенный с защелкой и состоящий из стока, истока, затвора; два предзаряжающих транзистора nMOSFET, выполненных с возможностью обеспечения низкого импеданса между нулевым уровнем и защелкой; pMOSFET, выполненный с возможностью обеспечения низкого импеданса между Vcc и истоками pMOSFET защелки; инвертор с цепью предзаряда, который состоит из включенных последовательно первого nMOSFET, управляемого битовой линией, и второго nMOSFET в диодном включении, причем второй nMOSFET инвертора соединяет нулевой уровень и исток первого nMOSFET инвертора, а сток первого nMOSFET инвертора предзаряжен и соединен с линией данных через ключ или через мультиплексор. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента