|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЭЛЕМЕНТ УСТРОЙСТВА ПАМЯТИ СО СТРУКТУРОЙ МЕТАЛЛ - ИЗОЛЯТОР - МЕТАЛЛ |  |
Номер публикации патента: 2108629 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G11C011/21 G11C011/24 | | Аналоги изобретения: | Дирнлей Дж. Стоунхэм А., Морган Д. УФН, 1974, т.112, вып.1, с.83-127. Pagnia H., Sotnik N. - Phys. Stat. Sol. (a), 1988, v.108, N 11, p.11-65. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники РАН | | Изобретатели: | Мордвинцев В.М.
Левин В.Л.
Шумилова Т.К.
Савасин В.Л.
Кудрявцев С.Е. | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность: элемент устройства памяти включает два металлических электрода, разделенных электроизолирующей щелью, и углеродистую проводящую фазу в щели, размещенные в среде, содержащей органическое вещество, таким образом, что обеспечен доступ молекул этого вещества к щели, последовательно углеродистой проводящей фазе в изолирующей щели со стороны анода расположен слой диэлектрика, исключающий возможность приближения углеродистой проводящей фазы к поверхности анода на расстояния, меньшие толщины слоя диэлектрика, которая находится в интервале 1 - 100 нм. Анод целесообразно выполнить из алюминия. 1 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента