|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ И СПОСОБ РАСПОЛОЖЕНИЯ В НЕМ СИГНАЛЬНЫХ ШИН |  |
Номер публикации патента: 2170955 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C011/407 | | Аналоги изобретения: | Circuit Techniques FOR a Wide Word I/O Path 64 Meg DRAM, 1991 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 1991 VLSI CIRCUITS SYMPOSIUM, OISO, IEEE CAT № 91 CH 3018-9, MAY 30 - JUNE 1, 1991/ OISO, THE Japan Society of Applied Physics. SU 1295446 A1, 07.03.1987. US 5291432 A, 01.03.1994. US 5247479 A, 21.03.1993. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | Донг-Ил СЕО (KR)
Се-Джин ДЖЕОНГ (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Номер конвенционной заявки: | 11050/1994 | | Страна приоритета: | KR | | Патентный поверенный: | Кузнецов Юрий Дмитриевич |
Реферат | |
Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти. Техническим результатом является высокая производительность указанного устройства без использования отдельной локальной шины ввода-вывода для соединения битовой шины и главных шин ввода-вывода. Устройство содержит банки памяти, множество битовых шин, шин ввода-вывода данных (сигнальных шин), шин выбора столбца (сигнальных шин), словных шин, главную шину ввода-вывода данных, транзисторы считывания, транзисторы для записи, мультиплексор. Способ описывает расположение в нем сигнальных шин. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 13 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента