Ведяев Анатолий Владимирович (RU) Журавлев Михаил Евгеньевич (RU) Рыжанова Наталья Викторовна (RU) Стрелков Никита Викторович (RU)
Патентообладатели:
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." (KR)
Реферат
Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти. Способ определения значений тока и спинового вращательного момента в магнитных многослойных структурах, состоящих из чередующихся ферромагнитных и немагнитных слоев, при различных прикладываемых напряжениях и при изменении взаимной ориентации намагниченности слоев, причем заявляемый способ предусматривает выполнение следующих этапов: определяют параметры многослойной системы, которую предполагается использовать в качестве ячейки магнитной памяти, в частности подсчитывают число имеющихся в многослойной системе слоев, определяют характеристики слоев, параметры решетки, число содержащихся в слоях монослоев, углы намагниченности по оси ОХ и OY; для каждого слоя вычисляют граничные s-s и d-d интегралы переноса; на основе полученных значений вычисляют граничные интегралы переноса и положение центров s- и d-электронов различных спинов проводящих зон всех слоев; производят вычисление тока как функции прикладываемого напряжения; производят вычисление вращательного момента как функции прикладываемого напряжения. Технический результат заключается в том, что способ позволяет конструировать ячейки энергонезависимой магнитной памяти с заранее заданными параметрами. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента