US 7187577 B1, 06.03.2007. US 2007/0279968 A1, 06.12.2007. US 7272035 B1, 18.09.2007. US 2007/0159870 A1, 12.07.2007. US 7286378 B2, 23.10.2007. US 2002/0101760 A1, 01.08.2002. EP 0616332 A1, 21.09.1994. RU 2310928 C2, 20.11.2007.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ЙООН Сей Сеунг (US) ЧЖУН ЧЭН (US) ПАРК Донгкиу (US) АБУ-РАХМА Мохамед Х. (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
19.12.2007 US 11/959,515
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении области (площади) устройства, увеличении матричной плотности и упрощении маршрутизации линии истока за счет уменьшения числа линий истока. Устройство памяти содержит первую колонку ячеек памяти включающую в себя первую ячейку памяти; вторую колонку ячеек памяти, включающую в себя вторую ячейку памяти; первую битовую линию, связанную с первой колонкой ячеек памяти; вторую битовую линию, связанную со второй колонкой ячеек памяти; и линию истока, совместно используемую первой колонкой ячеек памяти и второй колонкой ячеек памяти, причем в течение чтения первой ячейки памяти первая битовая линия несет первое напряжение, вторая битовая линия несет второе напряжение, и линия истока несет третье напряжение, причем второе напряжение и третье напряжение являются по существу одинаковыми. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента