US 2006/0033133 А1, 16.02.2006. US 2007/0198618 A1, 23.08.2007. JP 2003209228 A, 25.07.2003. TW 571442 B, 11.01.2004. RU 2310928 C2, 20.11.2007.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ЛИ Ся (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
01.02.2008 US 12/024,157
Реферат
Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода. Техническим результатом является создание памяти с большой плотностью без увеличения контурной области каждой из ячеек MTJ. Магниторезистивная оперативная память с произвольным доступом (MRAM) содержит: матрицу ячеек магнитного туннельного перехода (MTJ), причем каждая из ячеек MTJ содержит множество боковых стенок, причем каждая из множества боковых стенок содержит свободный слой для проведения соответствующего независимого магнитного домена, выполненного с возможностью хранения цифрового значения; и нижнюю стенку, соединенную с каждой из множества боковых стенок, причем данная нижняя стенка проходит по существу параллельно к поверхности подложки, причем данная нижняя стенка содержит свободный слой. 3 н. и 21 з.п. ф-лы, 31 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента