|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| УСТРОЙСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ И СПОСОБ РАСПОЛОЖЕНИЯ В НЕМ СИГНАЛЬНЫХ ШИН |  |
Номер публикации патента: 95107895 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95107895 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Донг-Ил Сео[KR]
Се-Джин Джеонг[KR] | | Номер конвенционной заявки: | 11050/1994 | | Страна приоритета: | KR | | Патентный поверенный: | Матвеева Н.А. |
Реферат | |
Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти и способу расположения в нем сигнальных шин, где может быть достигнута высокая производительность путем создания архитектуры кристалла, содержащей мультишину ввода-вывода. Устройство полупроводниковой памяти включает матрицы, состоящие из множества опорных блоков, содержащих множество ячеек памяти; множество словных шин, проходящих вдоль кристалла; множество битовых шин, проходящих в поперечном к длине кристалла направлении, причем каждая пара битовых шин состоит из битовой шины и комплементарной битовой шины; множество шин ввода-вывода, расположенных в верхней части матриц и проходящих в поперечном направлении, причем каждая пара шин ввода-вывода данных состоит из шины ввода-вывода данных и комплементарной шины ввода-вывода данных, которые одна за другой подсоединены к каждой паре битовых шин; и множество шин выбора столбца, расположенных в поперечном направлении и смежно по отношению к шине ввода-вывода данных и комплементарной шине ввода-вывода данных для управления подсоединением каждой пары битовых шин к шинам ввода-вывода данных.
|
Поиск патентов