RU 2216795 С2, 20.11.2003. WO 2010/114406 A1, 07.10.2010. US 7630235 B2, 08.12.2009. WO 2008/030588 A1, 13.03.2008. RU 2001129132 A, 20.08.2003. RU 2205471 C2, 27.05.2003.
Имя заявителя:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Изобретатели:
Мурашев Виктор Николаевич (RU) Леготин Сергей Александрович (RU) Шелепин Николай Алексеевич (RU) Орлов Олег Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности работы ячейки памяти. Ячейка памяти для быстродействующего ЭСППЗУ с управляемым потенциалом подзатворной области, электрическая схема ячейки памяти содержит n(р)-МОП-транзистор, первый и второй диоды, конденсатор, числовую, адресную и разрядную шины, при этом катод (анод) первого диода соединен с числовой шиной и истоком n(р)-МОП-транзистора, его анод соединен с анодом второго диода, с подзатворной областью n(р)-МОП-транзистора и первым выводом конденсатора, второй вывод которого подсоединен к затвору n(р)-МОП-транзистора и к адресной шине, а катод второго диода соединен с областью стока n(р)-МОП-транзистора и разрядной шиной, причем электрическая схема ячейки памяти дополнительно содержит р(n) полевой - транзистор, общую и управляющую шины, при этом его исток подключен к подзатворной области МОП-транзистора, затвор - к управляющей шине, а сток - к общей шине. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента