|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ ОБРАЗОВАНИЯ ЗАДИРОВ НА ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ ЭЛЕМЕНТАХ И ДИСТАНЦИОНИРУЮЩАЯ РЕШЕТКА |  |
Номер публикации патента: 2175456 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G21C003/34 G21C003/348 | | Аналоги изобретения: | RU 2127001 C1, 27.02.1999. RU 2138861 C1, 27.09.1999. DE 4123726 A1, 21.01.1993. EP 0528333 A1, 24.02.1993. EP 0563694 A2, 06.10.1993. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов" | | Изобретатели: | Рожков В.В.
Чапаев И.Г.
Бычихин Н.А.
Батуев В.И.
Зарубин М.Г.
Гущин С.Ф.
Филиппов Е.А.
Енин А.А. | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "Новосибирский завод химконцентратов" |
Реферат | |
Использование: при сборке тепловыделяющих элементов (ТВЭЛ) в тепловыделяющие сборки ядерных реакторов для повышения качества сборки, срока ее службы и снижения себестоимости изготовления. Сущность изобретения: расстановку дистанционирующих решеток начинают с расстановки их полуободов с размещением в них секций, изготовленных из единой полосы циркония ряда полуячеек. Ширина циркониевой полосы равна высоте ячейки на всю длину ряда от боковой грани до боковой грани обода. Размещение ТВЭЛов осуществляют путем их укладки в полуячейки, затем на уложенные в полуячейки ТВЭЛы в полуободы устанавливают вторые секции с ответными полуячейками для нижних полуячеек секций и верхними полуячейками для очередных ТВЭЛов и секций, прижимают вторую секцию к первой в каждом полуободе с образованием полых ячеек и проводят точечную сварку стыков зигзагообразных лент между ячейками и с полуободами и так далее до полного формирования ячеек дистанционирующих решеток по всей длине образованной ТВС с точечной сваркой вторых полуободов на собранное поле ячеек с тепловыделяющими элементами внутри. 2 с. и 1 з. п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента