RU 2231145 С2, 20.06.2004. RU 2372677 C1, 10.11.2009. RU 2088983 C1, 27.08.1997. WO 2010074788 A2, 01.07.2010. US 4588547 A, 13.05.1986.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретатели:
Житарев Валерий Ефимович (RU) Качанов Владимир Мефодьевич (RU) Сергевнин Алексей Юрьевич (RU) Парышкин Юрий Алексеевич (RU) Федоров Владимир Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Реферат
Изобретение относится к физике ядерных реакторов и может быть использовано для экспериментально-расчетного определения эффективного коэффициента размножения (kэфф) активных зон ядерных установок (ЯУ). Измеряют поток нейтронов n(t) в ЯУ как сигнал детектора нейтронов vи(t) с интервалом дискретности t до, во время и после внесения возмущения потока нейтронов в ЯУ. Определяют зависимость сигнала от времени v(t). Задают в диапазоне от 0.9000 до 0.9990 ряд значений эффективного коэффициента размножения (kэфф0)j в исходном состоянии ЯУ до внесения возмущения и, используя формулу обратного умножения и уравнения. точечной кинетики или формулу зависимости для аппроксимации kэфф(t), определяют (kэфф1)j в конечном состоянии и (kэфф(t))j во время возмущения потока нейтронов соответственно. Вычисляют расчетную зависимость сигнала детектора vpj(t), и, сравнивая измеренную и расчетную зависимости v(t), рассчитывают kэфф ЯУ, при этом используют импульсный и/или токовый сигнал детектора нейтронов и по критерию среднего квадратического отклонения vj, в интервале времени (t3, t2) после возмущения потока нейтронов определяют искомое значение kэфф0 как (kэфф0)j, соответствующее минимальному значению vj. Технические результаты - расширение функциональных возможностей способа за счет использования как импульсных, так и токовых измерительных каналов аппаратуры и повышение точности и достоверности определения kэфф. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента