|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ НЕЛИНЕЙНЫЙ РЕЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2087961 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01C007/00 | | Аналоги изобретения: | 1. Данилин В.Н., Кушниренко А.И., Петров Г.В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. - М.: Радио и связь, 1985, с. 72 - 74. 2. Арсенид в микроэлектронике. Сб. статей /Пер. с англ. - М.: Мир, 1988. 3. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. - М.: Мир, 1991. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное предприятие "ВНИИРА-Микро" | | Изобретатели: | Гук В.Г.
Филаретов Г.а. | | Патентообладатели: | Научно-производственное предприятие "ВНИИРА-Микро" |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к твердотельной полупроводниковой технике и может широко применяться в радиоэлектронной аппаратуре. Сущность изобретения: полупроводниковый нелинейный резистор представляет собой пассивный двухполюсник с нелинейной симметричной вольтамперной характеристикой, сформированный на полупроводнике, обладающем свойством насыщения по току, например, арсениде галлия, причем существенно, что активному слою, образующему резистор, придана непрямоугольная форма. Вид и параметры вольтамперной характеристики могут задаваться в широких пределах и проектироваться расчетным путем. Резистор изготовляется в виде самостоятельной детали или в составе монолитной интегральной схемы и может применяться как основной элемент схем, выполняющих нелинейные преобразования сигналов и напряжений - усилителей с широким динамическим диапазоном, преобразователей и умножителей частоты, аналоговых и дискретных аттенюаторов и др., в том числе в области СВЧ. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента