КУЗНЕЦОВ Г.Д. и др. Элионная технология в микро- и наноиндустрии. - М.: Издательский Дом МИСиС, 2008, с.22-24. WO 2008014332 А2, 31.01.2008. JP 2007234534 A, 13.09.2007. US 2004195973 A1, 07.10.2004.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Инновационно-технологический центр "Новые материалы и технологии" (RU), Билалов Билал Аругович (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "Инновационно-технологический центр "Новые материалы и технологии" (RU) Билалов Билал Аругович (RU)
Реферат
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам получения пучка ионов, и может быть использовано в ионно-лучевых технологиях для модификации поверхностей изделий и для нанесения на них тонких пленок SiC, AIN, твердых растворов на их основе и т.д. Двухпучковый ионный источник состоит из корпуса, в котором размещены два независимых источника пучка ионов, формирующих два независимых и не пересекающихся пучка, разнесенных в разные стороны. Конструктивно корпус разделен общим катодом на две соосные изолированные газоразрядные камеры, а каждая газоразрядная камера снабжена своим анодом и системой подачи рабочего газа, причем общий катод электрически связан с корпусом. Технический результат - создание двух независимых и непересекающихся пучков, разнесенных в разные стороны в едином ионном источнике. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента