|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО С АВТОЭЛЕКТРОННЫМ ЭМИТТЕРОМ |  |
Номер публикации патента: 2071616 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J001/02 H01J001/30 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 3921022, кл. H 01 J 1/02, 1975. А.А.Васенков и др. Низковольтные кремниевые матричные автоэлектронные катоды. Электронная промышленность, вып.8 /166/, 1987, с.48-49. Патент ЕПВ N 0354750, кл. H 01 J 31/12, 1989. Патент ЕПВ N 0316214, кл. H 01 J 1/30, 1988. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Волга" | | Изобретатели: | Дадыкин А.А.
Петров Е.Н. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Волга" |
Реферат | |
Изобретение относится к основным элементам конструкций электровакуумных приборов и может быть использовано для создания плоских катодолюминесцентных экранов. Сущность изобретения: в качестве собственно эмиттера используется торец проводящей планки (заостренной, вогнутой, субмикронной толщины), нанесенной на торец столбчатого высокоомного нагрузочного сопротивления, опирающегося на пленочную проводящую шину. Первый вытягивающий (иницирующий эмиссию) электрод выполнен в виде проводящей пленки, отделенной от шины эмиттера диэлектрической прослойкой с отверстием по столбцу сопротивления. Второй вытягивающий электрод выполнен столбчатым по столбцу сопротивления, торец эмиттера равноудален от вытягивающих электродов. Пленочный вывод второго электрода выполнен с отверстием по торцу эмиттера. Эмиттер, сопротивление и электроды выполнены матричными, высота второго электрода и расстояние между соседними столбцами сопротивлений одинаковы, первый электрод выполнен с проводящими выступами по торцам элементов матрицы эмиттеров, столбцы сопротивлений с эмиттерами несут спейсеры, матрица спейсеров разрежена относительно матрицы сопротивлений. 8 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента