RU 2400861 C1, 27.09.2010. RU 2299489 C1, 20.05.2007. RU 2373603 C1, 20.11.2009. CN 101815396 A, 25.08.2010. CN 201620187 U, 03.11.2010. WO 2009051834 A2, 23.04.2009.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Сорокин Александр Разумникович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронике и может быть использовано в физической электронике, квантовой электронике, для имплантации атомов в поверхность твердого тела, плазмохимии, диагностических измерениях. Технический результат: увеличение на порядки интенсивности потока пучка атомов или молекул. Предлагаемый способ получения пучка атомов или молекул в тлеющем разряде заключается в том, что путем подачи напряжения питания между сетчатым катодом и анодом зажигают высоковольтный разряд в газоразрядной ячейке, и в сильном поле катодного падения потенциала ускоряют ионы, которые в процессах перезарядки используют для получения пучка атомов или молекул, который направляют и извлекают через сетчатый катод в область дрейфа пучка атомов или молекул. В промежуток между сетчатым катодом и анодом осуществляют дополнительный приток ионов, который обеспечивают дополнительной ионизацией газа у поверхности сетчатого катода вспомогательным электронным пучком, электроны которого ускоряют в сильном поле высоковольтного разряда. Предлагается также устройство для реализации способа. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента