|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ МИШЕНИ ЭЛЕКТРОННО - ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА ТИПА A2B6 |  |
Номер публикации патента: 2032242 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J009/20 H01S003/18 | | Аналоги изобретения: | 1. Козловский В.И. и др. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdSxSe1-x и ZnSe. Квантовая электроника, 1977, т.4, с.351-354. |
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "Росич и Ко." | | Изобретатели: | Кацап В.Н.
Кузнецов П.И.
Садчихин А.В.
Харченко Т.П.
Цыганков В.В. | | Патентообладатели: | Фирма "Росич и Ко." |
Реферат | |
Использование: технология изготовления лазерных электронно-лучевых трубок (ЛЭЛТ), в частности активных элементов или лазерных мишеней ЛЭЛТ. Сущность изобретения: проводят химико-механическую полировку первой поверхности исходной полупроводниковой пластины, в качестве которой используют гетероструктуру, состоящую из монокристаллической пленки прямозонного полупроводника типа A2B6, выращенной на подложке из полупроводника типа A3B5, наносят выходное зеркало и закрепляют гетероструктуру на хладопроводе. Затем подложку из полупроводника типа A3B5 удаляют способом селективного химического травления, например, водным раствором H2O2 и NH4OH, а находившуюся в контакте с подложкой из полупроводника A3B5 поверхность монокристаллической пленки полупроводника A2B6 полируют химическим способом и наносят на нее глухое зеркало в виде отражающего покрытия. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента