На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2089001

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  96103426		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: в электронной технике, в частности, в системах отображения информации на основе автоэмиссионных устройств. Сущность изобретения: источник электронов состоит из изолирующей подложки со сформированной на ней первой проводящей пленкой, образующей электрод, вытягивающий электроны из автоэмиссионного катода и имеющий область поверхности, из которой осуществляется вторичная электронная эмиссия, из диэлектрического слоя держателя катода с отверстиями над первой проводящей пленкой, имеющими часть расширяющуюся по контуру области отверстия прилегающей к первой проводящей пленке, из второй проводящей пленки, часть которой расположена на стенках отверстия, исключая стенки расширяющейся части, часть расположена на первой проводящей пленке в отверстии, образуя область вторичной электронной эмиссии, часть выступающую в расширяющуюся часть отверстия, направленную к краю находящейся на дне отверстия части второй проводящей пленки и имеющую вакуумный зазор с пленками на дне отверстия. Торец выступающей части образует автоэмиссионный электрод. Для изготовления источника электронов на подложке с элементами из первой проводящей пленки формируют островки дополнительного покрытия из двух слоев над элементами из первой проводящей пленки, наносят диэлектрический слой. Для изготовления источника электронов над элементами из первой проводящей пленки, расположенной на изолирующей подложке, формируют островки дополнительного покрытия из двух слоев, наносят диэлектрический слой, формируют отверстия до нижнего слоя дополнительного покрытия. Травят его, формируют вторую проводящую пленку методом вакуумного напыления с образованием ее разрыва по контуру отверстий в тени направленного потока частиц, травят верхний слой островка дополнительного покрытия, формируют разводку. 2 с. и 3 з.п.ф-лы, 11 ил.

Вернуться к списку