На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЛОКА ЭЛЕКТРОДОВ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ИНДИКАТОРНОЙ ПАНЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА | |
Номер публикации патента: 2167467 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01J009/02 H01J017/49 | Аналоги изобретения: | RU 2134732 C1, 20.08.1999. RU 2074446 C1, 27.02.1997. JP 63-54788 B4, 31.01.1988. |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов | Изобретатели: | Ивлюшкин А.Н. Самородов В.Г. Сосновская Л.Г. Чернов Ю.И. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов |
Реферат | |
Изобретение относится к области газоразрядной техники и может быть использовано при разработке и производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП) переменного тока. Технический результат - создание способа изготовления блока электродов газоразрядной индикаторной панели переменного тока со слоем оксида магния, позволяющего получить высокоэмиссионный слой оксида магния, обеспечивающий низкое статистическое время запаздывания возникновения разряда в ГИП переменного тока за счет создания слоя оксида магния с крупнокристаллической структурой. Высокоэмиссионный слой оксида магния крупнокристаллической структуры, обеспечивающий низкое статистическое время запаздывания возникновения разряда в ГИП переменного тока, получают за счет формирования слоя оксида магния в два этапа: на первом этапе пластину с электродами и диэлектрическим покрытием нагревают в вакууме до температуры (100-200)°С, выдерживают при этой температуре в течение не менее 30 мин и наносят первый слой оксида магния в смеси аргона с (17-35)% кислорода, а на втором этапе пластину нагревают в вакууме до температуры в диапазоне от 300°С до температуры деформации диэлектрического покрытия и наносят второй слой оксида магния в смеси аргона с (30-35)% кислорода, при этом каждый слой оксида магния наносят толщиной не менее 100 нм.
|